книги / Методы повышения параметров БИС
..pdf153.У о л л е р Л. Перспективы ПЗС-технологии в области цифровых СБИС//Электроника. - 1982. - 55, № 23. - С. 4-6.
154.У о р д Р. Электронно-лучевая проекционная установка для созда ния кристаллов СБИС с субмикрониыми элемснтами//Электроника. -
1981.-54,№ 22.- С . 52-60.
155. Ф о т о л и т о г р а ф и я м оптика/Под ред. Я. А. Федотова, Г. По ля. - М.: Сов. радио, 1974. - 392 с.
156. Х а р т Г.идр. Интегральная инжекционная логика - новоенаправле ние в области биполярных БИС//Электроника. - 1974. - 47, № 20. -
С.37-47.
157.Х о р у н ж и й В. А. и др. Акустоэлсктроника/Под ред. В. А. Хо рунжего. - К.: Технжа, 1984. - 152 с.
158.Ц и с с и м э н У. Р. и др. GaAs-приборы и схемы с топологическими элементами субмикронных размеров, полученные с применением элект ронно-лучевой литографии/У. Р. Циссимэн, X. М. Макси, Г. Э. Брем и др.
//ТИИЭР. - 1983. - 71, № 5. - С. 153-164.
159. Ч а н г Т. X. П. и др. Электронно-лучевая литография - средство уменьшения размеров больших интегральных схем/Т. X. П. Чанг, М. Хатцакис, А. Д . Уилсон, А. И. Броэрс//Электроннка. - 1977. - 50, № 10. -
С.24-37.
160.Ч е р н ы й Б. И., Н о в о ж е н ю к Л. И. Свободные маски в техно
логии электронной техники//3арубеж. электрон, техника. - 1981. -
№2. - С. 3-40.
161.Ч е р н я е в В. Н. Технология производства интегральных микросхем/Под ред. А. А. Васенкова. - М.: Энергия, 1977. - 367 с.
162.Ш а ш к о в Ю. М. Выращивание монокристаллов и пленок материа-. лов твердотельной электро'ники//Итоги науки и техники. Сер. Электрони ка. - М., 1982. - 1 4 . - С. 174-212.
163.Ю д и н а Н. К. и др. Исследование и контроль плазмо-химических процессов/Н. К. Юдина, М. С. Чупахии, Э. А. Лебедев и др.//3арубеж.
электрон, техника. - 1980. - |
№ 3. - С. 3-54. |
|
||||
164. Юд и н ц е в |
В. А. Интегральные схемы на диэлектрических подлож- |
|||||
ках//3арубеж. электрон, техника. - |
1975. - № 23. - С. 3-44. |
|||||
1 6 5 . A |
d е s i |
d a |
J., Е v е г h а г t |
Т . Е. S u b strate th ick n ess con sid erations in |
||
e le c tr o n |
b eam |
lith o g ra p h y //J . A p p l. P h y s . - 1 9 8 0 . - 5 1 , |
№ 1 1 . - P . 5 9 9 4 - 6 0 0 5 . |
|||
1 6 6 . A |
d c s i d a |
1 ., E v e г h |
a r t T . E ., S h i in i z u |
R: High resolu tion elect |
||
ron b e a m .lith o g r a p h y o n th in |
film s//J . V ac. S ci. T ech n o l. - 1 9 7 9 . - 1 6 , № 6 . - |
|||||
P. 1 7 4 3 - 1 7 4 8 . |
|
|
|
|
|
|
167. B o w d e n M. J. Forefront of research on resists//Solid State Technol. - 1981. ^24,№ 6. - P.73-87.
1 6 8 . В |
г |
о e |
r |
s A . N . |
R e so lu tio n |
overlay |
and field |
size for lithography system |
||||||||
//I E E E |
T ran s. |
E lec tr o n |
D ev ices. - |
1 9 8 1 . - |
E D |
- |
2 8 , № 11 . -P . 1 2 6 8 - 1 2 7 8 . |
|||||||||
1 6 9 . B r O w h |
L. , V e n k a t e s a n T . j W a g n e r |
A . Jon beam lithography |
||||||||||||||
/ / S o lid |
S ta te T e c h n o l, - |
|
1 9 8 1 . - |
2 4 , № 8. - |
P. 6 0 - 6 7 . |
|
|
|||||||||
1 7 0 . C |
h |
a 1 1 e r j е е |
P . R . e t al. T w o -p h ase h igh -d en sity charge cod p ted devices |
|||||||||||||
fa b rica ted |
b y |
electro n -b ea m |
lith ograp h y/P . K . C hatterjee, H . S. F u, A . F . Tasch |
|||||||||||||
et a l .//J . V a c . S c i. T e c h n o l, - |
1 9 7 8 . - 15, № 3 . - |
P. 9 5 7 - 9 5 8 . |
|
|
||||||||||||
1 7 1 . C s e p r e g i |
L, |
|
I b e r t |
F ., |
E i c h i n g e r |
P. Jon beam shadow printing |
||||||||||
th ro u g h |
th in |
silico n |
fo ils u sin g |
c h a n n e lin g //A p p l. |
P hys. L ett. - |
1 9 8 0 . - 3 7 , |
||||||||||
№ 7 .' - p . 6 3 0 - 6 3 2 . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
1 7 2 . D |
e |
G |
r a f f, F |
1 a n d |
e r s D . C. D irection al oxigen -ion -beam |
etchin g o f |
||||||||||
c a r b o n a ce o u s |
m a te r ia ls//J . V a c . S ci. T ech n o l. - |
1 9 7 9 . - 1 6 , № |
6 . - |
P. 1 9 0 6 — |
||||||||||||
1 9 0 8 . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
173. D o l a n G. I. Offset masks for lift-off photoprocessing//Appl. Phys.
Lett. - 1977. - 31,9 № 5. -,I\ 337-339.
t
174. D o u s s e l i n |
К., R o s e n b l a t t |
J. Behaviour of grown io.w-capacitan- |
ce superconducting |
tunnel junctions//!. |
Appl. Phys. - 1980. - 51, N* 1. - |
P. 802-804. |
|
e |
175. F 1 a n d c r s D. C. X-ray lithography at ~ 100 A linewidths using X- ray masks fabricated by sliadowing techniques//!. Vac. Sci. Technol. - 1979. —
16, № 6. - P. 1615-1619. |
G,' Masking for ion beam etching//Solid State Tech |
|||
176. G l o e r s e n |
P e r |
|||
nol. - 1976. - 19, N* 4. - |
P. 68-73. |
|
||
177. K u w a n o |
Y о s h 1 d a K., Y a m a z a k i S . Dry development of |
|||
resist exposed to focused gallium ion beam//!apan. !. |
Appl. Phys. - 1980. - |
|||
19, N®10. - |
P. L615-L617. |
D. .W. Submicrometer po |
||
178.1 p г i |
A., S о к о 1 |
о s к i 1. С., F 1 a 111 e у |
||
lysilicon gate CMOS/SOS technology//IEEE Trans. Electron devices. - 1980. -
27, № 7. - P. 1275-1279. |
„ |
179. K a r a p i p e r i s L., Le e |
C. A. 400 A high aspect-ratio lines produced |
in polymethylmethacrylate (PMMA) by ion beam exposure//Appl. Phys. Lett. - 1979. - 35, № 5. - P. 395-397.
180. |
К у s e г D. F., T i n g С. H. Voltage dependence of proximity effects in |
||
electron beam lithography//!. Vac. Sci. Technol. - 1979. - |
16, N®6 .-P . 1759 — |
||
1763. |
L e h m a n n H. W., W i d m e r R. Profile control by reactive sput |
||
181. |
|||
tering etching//!. Vac. Sci. Technol. - 1978. - 15, N« 2. - P. 319-326. |
|||
182. |
M a l d o n a d o |
!. R. et al. Spurious effects caused by the continu |
|
ous radiation and ejected |
electrons in X-ray lithography/!. R. Maldonado, |
||
G. A. Coquin., D. Maydan et al.//!. Vac. Sci. Technol. - |
1975. - 12 , N®6. - |
||
P.1329-1331.
183.M a t s u о S., A d a c h i Y. Reactive ion beam etching using a broad
beam ECR ion source//!apan. 1. Appl. Phys. - 1982. - 21, №1. - P. L4-L6. 184. N a к a g a w a H. et al. Sub. 10-ps logic operations in loscphson four junction logic (4!L) gates/H. Nakagawa, T. Odakc, E. Sogawa et al.//!apan.
J.Appl. Phys., Part 2, betters. - 1983. - 22, № 5. - P. L297-L298.
185.P о u 1 s e n R. G. Plasma etching in integrated circuit manufacture. - A review//!. Vac. Sci. Technol. - 1977. - 146N® 1. - P. 266-274.
186.R e n s c h D. B. et al. Ion beam lithography for IC fabrication with submicrometer feature/D. B. Rensch, R. L. Seliger, G. Csanky et al.//!. Vac. Sci. Technol. - 1979. - 16, № 6. - P. 1897-1900.
187.M a t s u o S., K i u c h i M. Low temperature chemical vapor deposi tion method utilizing an electron cyclotron resonance plasma//!apan !. Appl. Phys. - 1983. - 22, № 4. - P. L210-L212.
188. S t' e |
n g 1 G. et al. Ion projection system for IC pro‘duction/G. Stengl, |
R. Kaitna, |
H. Loschner.et al.//!. Vac, Sci. Technol. ~ 1979. - 16, № 6. - |
P.1883-1885.
189.T h о r n t о n - P. R. Electron physics in device microfabrication. II. Elect ron resists, X-ray lithography, and electron beam lithography update//Advances
In Electronics and Electron Physics. - 1980. - 54. - P. 69-139.
190. T i s c h e г P. Advances in X-ray Uthography//From electronics to.micro
electronics |
Amsterdam; New York; Oxford; North—Holland Publishing- |
|
Company, 1980. - |
P. 63-68. |
|
191. W a g n e r |
A. et al. Germanium selenide: A resist for low energy ion |
|
beam lithography/A. Wagner, D. Barr, T. Venkatesan et al. //!. Vac. Sci. Tech nol. - 1981. - 19, №4. - P. 1363-1367.
192. Y a s u d a Y. Recent developments in dry processing for very-large-scale integration//Tliin Sdlid Films. - 1982. - 90, № 3. - P! 259-270.